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是什么阻止了GPU和CPU的融合?

十万个为什么 空空 2024-3-27 18:23:48 3次浏览

关于问题是什么阻止了 GPU 和 CPU 的融合?一共有 2 位热心网友为你解答:

【1】、来自网友【Jianxinaa】的最佳回答:

真实的答案只有一个,那就是芯片制造的瓶颈和操作系统生态。

苹果的 M 系列芯片已经实现了 CPU/GPU 的融合以及统一内存,使用效果也是不错的。但 M1 Ultra 芯片面积 860 平方毫米,晶体管数量 1140 亿个,即使是分成两片单独制造然后再拼到一起对芯片制造来说也是个巨大的挑战。MAC 的操作系统也是苹果自家的,不存在操作系统适配的问题,所以苹果能在 PC 和笔记本上搞成这事。

X86 阵营里最强显卡 4090 的核心面积 600 平方毫米,13 代 I9 的核心面积 250 平方毫米,两个合在一起核心面积估计的 900 平方毫米以上,功耗 500-600W,这对芯片制造来说就是噩梦难度了。另外 X86 也是个松散阵营,即使 AMD 这样既有 CPU 也有 GPU 的公司去尝试高性能集成显卡的时候也会遇到内存带宽瓶颈,目前 AMD 正在研究 APU+HBM 显存的结构也算是在 X86 架构上两者集成最新尝试。但即使 AMD 尝试成功也只是个媲美中高端显卡的集成显卡,受限于 X86 架构和操作系统,距离统一内存这种真正的融合也还有很长的路要走。

【2】、来自网友【御伽众】的最佳回答:

成本和功耗啊。

不知道题主有没有对芯片制造的相关流程有没有了解。

首先是要准备原材料,那就是硅了,硅通过普通硅砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过抛光、切片之后,就成为芯片制造的重要组成部分——晶圆。

然后将金属离子“轰击”到晶圆表面,形成一层掺杂的半导体层,这这个步骤叫做离子注入;再通过电镀工艺覆盖上一层 Hi-K(高介电常数)金属。然后就开始对这块晶圆进行刻蚀。在晶圆表面涂抹上一层光刻胶,然后通过光刻机,以类似于底片曝光的方式,将设计好的电路像拍照一样“投影”在光刻胶表面。被照射到的光刻胶会变得易溶,用化学药剂洗掉之后,顺带也溶解掉了没被光刻胶保护的金属层。在这个步骤,实际上纳米级的晶体管已经刻蚀完成,再通过电镀将铜覆盖在栅极、源极和漏极表面,形成晶体管的三个导电触点,并进一步完成不同晶体管之间的铜(导线)互连层——这时候,一个 CPU 的电路部分已经制造完毕。

然后就要进行切割了。晶圆很大,现在的硅圆半径通常在 12 英寸以上,也就是 30cm 左右,但是实际上无论上 CPU 还是 GPU 的核心面积很小,也就是我们要对这个大晶圆进行切割。但并不是晶圆的每个部分都可以用来作为制造芯片的原材料,因为晶圆在制造过程中会出现缺陷和瑕疵。而且位置并不固定,非常随机,这些瑕疵就限制了取下的好的晶圆的形状和大小。

然后对这些晶圆进行筛选,大的,瑕疵小的用来做高端 CPU,小的瑕疵多的用来制造低端 CPU,也有一些低端 CPU 是大的 CPU 屏蔽不良块来实现的。然后进行封装,就形成了 CPU。GPU 制造过程类似,不过筛选和封装方式有所不同。

所以,这就对半导体行业有了一个工艺上的限制——芯片面积无法无限做大,不然良品率会爆炸的,制造的成本也会无限提高。。。所以高端芯片的价格和面积往往不成正比。(而且在物理学上也有限制,一旦芯片面积超过一平方分米那么芯片内部的信号沟通就会出现明显延迟,这对要求信号同步率极高的半导体行业很致命)

这就是成本上的限制了,但还有个更要命的地方——功耗。

拿前段时间很火的六核六线程的 9400f 说话,这玩意儿满载功耗是 115w,再拿个甜品卡 1660s 看一眼功耗,满载大概是 180w 左右,加起来就是 300w。。。

300w!现在市售的一体水和风冷压满载功耗 200 多 w 的 9900k 都够呛,300w 的芯片一出只能上分体水才能压得住。。。所以现在将 GPU 和 CPU 融合的产品通常是限于功耗性能不会很高,比如锐龙的 apu 3200g 和 3400g(9100f 弱一点的 CPU 性能和 1030 弱一点的 GPU 性能),还有酷睿的核显 uhd630(比疯牛病 610 强一点。。。)

我刚才还想到一个点。GPU 发挥性能是十分依赖于显存的,当然显存和内存基本可以看为一种工艺但两者还是有不同的,专用的显存会让 GPU 发挥更好的性能,但核显只能借用内存来模拟显存,效果不是那么好。。。

事实上吧,题主说的高性能 CPU 和 GPU 结合有没有呢?有,要出的 ps5 和 xbox 猩红,前者是 3700x 和 5700 都性能,后者是 3700x 和接近于 2080ti 的性能。。。所以两者的散热器我预计基本上是傻大黑粗的类型了,应该是整个外壳都作为散热系统。

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